RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2672
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link