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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
2672
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
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