RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
4046
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link