RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2395
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link