RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
75
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
1548
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link