RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
42
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2352
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link