RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2537
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link