RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2537
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link