RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3035
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link