RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2550
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link