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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
36
Velocità di lettura, GB/s
10.6
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2550
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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