RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
1870
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link