RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1870
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link