RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
60
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
60
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2511
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link