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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
60
读取速度,GB/s
10.6
14.9
写入速度,GB/s
6.8
12.0
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2511
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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