RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
55
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
55
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2701
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link