RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
59
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2181
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link