RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
59
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2181
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link