RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
59
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
59
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2181
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link