RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2330
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link