RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2330
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link