RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2719
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link