RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Teclast TLD416G26A30 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Teclast TLD416G26A30 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2719
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link