RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3826
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link