RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3826
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link