RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3393
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link