RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3616
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link