RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2341
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link