RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3143
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link