RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3143
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link