RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
3437
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link