RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
41
Por volta de -95% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
21
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
3437
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link