RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1348
4276
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link