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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
41
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.1
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
19.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
4276
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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