RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3086
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link