RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3638
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link