RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3638
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link