RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
4565
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link