RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3708
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link