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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
3.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
3.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
915
3708
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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