RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
4276
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link