RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
23.1
Скорость записи, Гб/сек
3.0
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
4276
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link