RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3020
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link