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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
34
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3020
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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