RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2708
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link