Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

総合得点

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

総合得点

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 38

周辺 -73% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.9 7.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 3.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 22
読み出し速度、GB/s

7.2 16.9
書き込み速度、GB/秒

3.0 12.3
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

915 2708

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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