RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V tolerant, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
2211
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link