RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
3895
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link