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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
比较
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
总分
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.8
1,906.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,672.4
19.2
写入速度,GB/s
1,906.4
17.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
698
3895
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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