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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
9.4
16.9
写入速度,GB/s
6.7
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1929
3236
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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