RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2756
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link