RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3402
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link